Card | Table | RUSMARC | |
Акманов, А.Г. Основы квантовых и оптоэлектронных приборов: учебное пособие / А.Г. Акманов, Б.Г. Шакиров; Башкирский государственный университет. — 2-е издание дополненное и переработанное. — Уфа: РИЦ БашГУ, 2013. — Электрон. версия печ. публикации. — Доступ возможен через Электронную библиотеку БашГУ. — <URL:https://elib.bashedu.ru/dl/read/AkmanovAG_ShakirovBG_Osnovi kvant. i optoel.pribor._up_2013.pdf>. — Текст: электронныйRecord create date: 9/29/2022 Subject: лазеры; модуляторы; волоконно-оптические усилители; оптика; оптоэлектронные приборы; полупроводники Collections: Учебные и учебно-методические издания; Общая коллекция Allowed Actions: –
*^% Action 'Read' will be available if you login and work on the computer in the reading rooms of the Library
Group: Anonymous Network: Internet |
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Library BashGU Local Network | All | |||||
Internet | Authenticated users | |||||
Internet | All |
Table of Contents
- облшарипов.pdf
- Уч Пособие ОКиОЭП изд_13 РИЦ.pdf
- 1 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЛАЗЕРОВ
- 1.1 Оптическое излучение
- 1.2 Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- 1.3 Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- 1.4 Основы теории формы и ширины линии излучения
- 1.5 Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- 1.6 Квантовое усиление в среде
- 1.7 Квантовый генератор (лазер)
- 1.8 Методы создания инверсии населенностей
- квантовых уровней
- 1.9 Метод оптической накачки
- 1.10 Кинетические уравнения для населенностей уровней
- 1.11 Оптические резонаторы
- 1.11.1 Добротность открытого резонатора
- 1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- 1.11.3 Дифракционная теория
- 1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- 1.11.5 Селекция типов колебаний
- 2 ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЛАЗЕРЫ
- 2.1 Рубиновый лазер
- 2.2 Неодимовые лазеры
- 2.3 Устройство твердотельного лазера
- 2.4 Система оптической накачки
- 2.5 Электрическая схема питания
- 2.6 Режимы работы твердотельных лазеров
- 3 Газовые лазеры
- 3.1 Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- 3.2 Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- 3.3 Гелий – неоновый лазер
- 3.4 Аргоновый лазер
- 3.5 СО2-лазер
- 4 Полупроводниковые лазеры
- 4.1 Физические основы работы полупроводникового лазера
- 4.1.1 Энергетические состояния в полупроводниках
- 4.1.2 Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- , (4.3.а)
- 4.2 Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- 4.3 Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- 4.4 Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- 4.1 Физические основы работы полупроводникового лазера
- 5 Оптические модуляторы
- 5.1 Электрооптические модуляторы
- 5.2 Акустооптические модуляторы
- 5.3 Магнитооптические модуляторы
- 6 Волоконно-оптические усилители
- 6.1 Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- 6.2 Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- 6.3 Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- 7 Основы нелинейной оптики
- 7.1 Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- 7.2 Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- 7.3 Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- 7.4 Самофокусировка света
- 7.5 Двухфотонное поглощение
- 7.6 Вынужденное комбинационное рассеивание света
- 8 Элементы оптоэлектронных приборов
- 8.1 Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- 8.2 Внутренний и внешний квантовые выходы
- 8.3 Потери излучения в светоизлучающем диоде
- 8.4 Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- 8.5 Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- 8.6 Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- 8.7 Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- 8.8 Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- Магнитная проницаемость полупроводника в области частот оптического диапазона (=1.
- 8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- 8.10 Скорость оптической генерации носителей заряда
- в полупроводниках
- 8.11 Процессы рекомбинации носителей заряда
- в полупроводниках
- 8.12 Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- 8.13 Процессы релаксации в полупроводниках
- 8.14 Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- 8.15 Характеристики и параметры фотоприемников
- 8.16 Фотодиоды
- 8.17 Фототранзисторы
- 8.18 Фототиристоры
- 1 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЛАЗЕРОВ
- в конце.pdf
Usage statistics
Access count: 45
Last 30 days: 2 Detailed usage statistics |