BashGU
Electronic Library

     
?

Details
Card Table RUSMARC

Ханафин, Ильяс Ильгизович. Исследование полимерных полевых транзисторов на основе производных фуллерена: выпускная квалификационная работа по программе бакалавриата. Направление подготовки 11.03.04: "Электроника и наноэлектроника". Направленность (профиль): "Электронные приборы и устройства" / И. И. Ханафин; Башкирский государственный университет, Физико-технический институт, Кафедра инфокоммуникационных технологий и наноэлектроники ; научный руководитель Р. Б. Салихов. — Уфа, 2022. — 42 с. — <URL:https://elib.bashedu.ru/dl/diplom/2022/Khanafin_II_11.04.03_Electronika_bak_2022.pdf>. — Текст: электронный

Record create date: 9/12/2022

Subject: Радиоэлектроника — Электроника в целом; ВКР; бакалавриат; органические полевые транзисторы (OFET); фуллерены; фуллерен С60; органические полевые транзисторы N-типа

UDC: 621.38

LBC: 32.85

Collections: Квалификационные работы бакалавров и специалистов; Общая коллекция

Allowed Actions: –

*^% Action 'Read' will be available if you login and work on the computer in the reading rooms of the Library

Group: Anonymous

Network: Internet

Document access rights

Network User group Action
Library BashGU Local Network Authenticated users Read
Library BashGU Local Network All
Internet Authenticated users Read
-> Internet All

Table of Contents

  • З А Д А Н И Е
  • Утверждена приказом по БашГУ от «_ 23__» января 2022 г. №
  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. Органические полевые транзисторы n-типа, обработанные раствором, с высоким отношением токов включения/выключения на основе производных фуллерена.
  • 1.2. Диэлектрик затвора из поливинилового спирта, обработанный анионным поверхностно-активным веществом, в канальных органических полевых транзисторах на основе фуллерена C60
  • 1.3. Органический полевой транзистор N-типа на основе фуллерена с природными наночастицами алоэ вера/SiO2 в качестве подзатворного диэлектрика.
  • 1.4. Легированные органические полевые транзисторы N-типа на основе фуллерена Faux-Hawk
  • 2. Создание полевых транзисторов и измерения их характеристик
  • 2.2. Вакуумный универсальный пост ВУП-5
  • 2.3. Метод термодиффузионного напыления
  • Рисунок 2.5. - Подложка с пленкой оксида алюминия
  • 2.4. Методика измерения вольтамперных характеристик
  • 3. Полученные результаты и их обсуждение
  • Таблица 3. Сравнение характеристики транзисторов
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ И ЛИТЕРАТУРЫ

Usage statistics

stat Access count: 4
Last 30 days: 2
Detailed usage statistics